发光分会2018年工作总结

2018年，发光分会的主要活动包括：1）主办“第七届全国掺杂纳米材料发光性质学术会议”；2）申德振主任组织召开“第641次香山科学会议——宽禁带半导体发光的发展战略”。具体如下：

一、第七届全国掺杂纳米材料发光性质学术会议

7月21-24日，由中国物理学会发光分会、中国稀土学会发光专业委员会联合主办，大连民族大学承办的“第七届全国掺杂纳米材料发光性质学术会议”在大连举行。来自中科院长春应用化学所、福建物构所，澳大利亚悉尼科技大学，兰州大学，复旦大学，荷兰阿姆斯特丹大学，北京大学，吉林大学，南开大学，东南大学，厦门大学等国内外120余所高校、科研院所的500余位专家学者参加了会议。参会单位和代表人数均创历届新高。

会议旨在总结和交流近年来掺杂纳米发光材料、能源材料及相关应用领域的最新研究成果，凝练科学目标，探讨和谋划未来学科发展方向，推动我国发光科技和应用的发展，提升我国在掺杂发光材料及相关领域的国际竞争力。

大连民族大学校长刘玉彬出席开幕式并致辞。中科院长春应用化学所张洪杰院士应邀做题为“稀土上转换纳米晶及多功能纳米材料用于肿瘤成像和刺激-响应性诊疗”的开场报告。会议共安排16个大会报告，66个邀请报告，78个学生报告，141个张贴报告。报告精彩纷呈，与会者得以及时了解纳米发光材料领域的最新发展动态，对关键科学问题进行了深入讨论，加强了本领域的成果创新与转化，具有十分重要的学术和实际应用意义。 

二、第641次香山科学会议——宽禁带半导体发光的发展战略

11月8-9日，由中国物理学会发光分会主任、中科院长春光机与物理所申德振研究员提出申请，西安电子科技大学郝跃院士、中科院微电子所刘明院士、中科院长春光机与物理所申德振研究员和王立军院士、中科院半导体所夏建白院士，以及南京大学郑有炓院士共同担任会议执行主席的题为“宽禁带半导体发光的发展战略”的第641次香山科学会议在北京香山饭店举行。来自全国近30所科研单位的近40位宽禁带半导体发光领域的专家，以及科技部、国家自然科学基金委和中科院的领导参加了会议。

时至今日，半导体发展已经历了三代变革，极大地影响了社会的发展进程。以硅为代表的第一代半导体的发展带来微型计算机、集成电路的出现和整个信息产业的飞跃。第二代半导体砷化镓和磷化铟等的出现促成了信息高速公路的崛起和社会的信息化。第三代半导体材料是指氮化镓、碳化硅、氧化锌等宽禁带半导体材料。

申德振研究员和夏建白院士先后做主题评述报告。报告指出，与前两代相比，第三代半导体材料因禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性能，因此在短波发光/激光、探测等光电子器件和高温、高压、高频大功率的电子电力器件领域有广阔的应用前景，不仅能在更高温度下稳定运行，而且在高电压、高频率状态下更为耐用和可靠。

宽禁带半导体在深紫外发光与激光方面优势明显，其中，III族氮化物成为其在深紫外光源领域研究的主要代表，尤其是氮化镓基蓝光发光二极管（LED）的发明，带领人类照明光源的革新。日本科学家赤崎勇、天野浩和美籍日裔科学家中村修二也因此获得2014年诺贝尔物理学奖，由此掀起宽禁带半导体在深紫外发光与激光研发的热潮，并带来巨大的经济和社会效益。

我国在氮化镓基短波LED领域的整体水平与美日等发达国家差距明显，主要体现在高质量的氮化镓和氮化铝同质单晶衬底和低缺陷密度铝镓氮的外延生长与高铝组分铝镓氮掺杂工艺等难题。另一种宽禁带半导体材料氧化锌具有高的激子束缚能和优异的光学特性，是实现深紫外激光器件的理想材料，将成为铝镓氮在深紫外光电领域应用的重要补充，但其目前发展严重受限于P型掺杂技术。

与会专家认为，突破高质量同质单晶衬底制备和p型掺杂技术，是带动宽禁带半导体紫外发光与激光器件进一步发展的关键。同时，宽禁带半导体的单体点缺陷表征和调控也是亟需解决的关键科学和技术难题。因此，我国应加大在宽禁带半导体发光领域的投入，解决该领域的核心科学和技术难题，争取拥有更多自主知识产权，推动应用市场的发展。