2017年7月16-19日,由中国物理学会半导体物理专业委员会、美国ECS学会和南京大学联合主办的The 1st International Semiconductor Conference for Global Challenges(ISCGC-2017)在南京举行。来自全球各地的约200名科技工作者参加会议,提交会议报告146份,其中,8个大会报告分别是:1)Unipolar CMOS Logic: A Transforming Technology for Current and Emerging Transistor Materials(T-P. Ma,美国耶鲁大学);2)Emerging Steep Slope Devices for Ultra-Low-Power Applications(黄茹,北京大学);3)The N3XT 1,000× of Computing Energy Efficiency(H.-S. Philip Wong,美国斯坦福大学);4)Quantum control of spins in solids and its applications(杜江峰,中国科技大学);5)Materials fundamentals for germanium CMOS(Akira Toriumi,日本东京大学);6)Recent Advances in Organic Optoelectronics(黄维,南京工业大学);7)Developing Status and Trend for Nonvolatile Memory(刘明,中科院微电子所);8)Semiconductor Technology–Nano, Giga, and Beyond(Yue Kuo,美国德克萨斯A&M大学)。
2017年7月19-21日,由半导体物理专业委员会主办、南京大学承办的第21届全国半导体物理学术会议在南京举行,约500人参会,提交会议报告310份,其中,8个大会报告分别是:1)半导体物理进展(郑厚植,中科院半导体所);2)黄光LED新进展(江风益,南昌大学);3)集成电路创新技术——从器件到工艺(张卫,复旦大学);4)高压下的奇妙物质世界(马琰铭,吉林大学);5)宽禁带半导体技术新进展(郑有炓,南京大学);6)碳纳米管电子学(彭练矛,北京大学);7)半导体自旋电子材料制备及性质研究(赵建华,中科院半导体所);8)二维电子器件研究(王欣然,南京大学)。
会议期间,召开半导体物理专业委员会扩大会议,讨论决定下一届会议于2019年夏天在杭州举行,由浙江大学承办。
中科院半导体所赵建华研究员和南京大学王欣然教授荣获2016-2017年度黄昆固体物理和半导体物理科学研究奖。
2017年,半导体物理专业委员会还依托中科院半导体所开展了多次科普活动,并开办了半导体科技夏令营和黄昆班秋令营。